Синий светоизлучающий диод на основе GaN
2018
Год создания
3
Количество
разработчиков
1
патент
Краткое описание экспаната:
Рельефная поверхность подложки гетероэпитаксиальной структуры, изготовленная методом электронно-лучевой литографии с использованием различных топологий, позволяет существенно повысить энергоэффективность светодиода за счет увеличения квантовой эффективности.
Технические характеристики экспоната:
- КПД 35%
- Длины волны излучения 460 ± 5 нм
- Прямое падение напряжения на токе 20 мА 3,3 – 4 В
- Дифференциальное сопротивление кристалла менее 6 Ом
- Токи утечки при обратном напряжении 3 В менее 10 мкА
Используемое оборудование:
- Установка контактной фотолитографии
- Системы безмасковой лазерной литографии
- Установка нанесения и сушки фоторезиста
- Установка плазмохимического реактивного ионного травления
- Установка для термического вакуумного напыления
- Установка для электронно-лучевого напыления
- Установка быстрого термического отжига
- Анализатор полупроводниковых устройств
- Система измерения сопротивления напылённых слоев
